InGaAs APD moduļi

Modelis: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Īss apraksts:

Tas ir indija gallija arsenīda lavīnas fotodiodes modulis ar priekšpastiprināšanas ķēdi, kas ļauj pastiprināt vājas strāvas signālu un pārvērst to sprieguma signālā, lai panāktu fotonu-fotoelektriskā signāla pastiprināšanas pārveidošanas procesu.

saņemt citātu Lejupielādēt

Tehniskais parametrs

Produktu etiķetes

Iespējas

Priekšpusē apgaismota plakana skaida
Ātrgaitas reakcija
Augsta detektora jutība

Lietojumprogrammas

Lāzera diapazons
Lāzera komunikācija
Lāzera brīdinājums

Fotoelektriskais parametrs(@Ta=22±3℃)

Lieta #	Pakas kategorija	Gaismas jutīgās virsmas diametrs (mm)	Spektrālās reakcijas diapazons (nm)	Pārrāvuma spriegums (V)	Atsaucība M=10 λ = 1550 nm (kV/W)	Augšanas laiks (ns)	Joslas platums (MHz)	Temperatūras koeficients T_a=-40℃～85℃ (V/℃)	Trokšņa ekvivalenta jauda (pW/√Hz)	Koncentriskums (μm)	Aizstāts veids citās valstīs
GD6510Y	TO-8	0.2	1000–1700	30–70	340	5	70	0.12	0.15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0.5				10	35		0.21		−
GD6512Y		0.08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B