905nmAPD vienas caurules sērija

Modelis: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y /-2-2-P GD5210Y-2-5-P

Īss apraksts:

Ierīce ir silīcija lavīnas fotodiode, spektrālā reakcija svārstās no redzamās gaismas līdz gandrīz infrasarkanajam starojumam, un maksimālā reakcijas viļņa garums ir 905 nm.

saņemt citātu Lejupielādēt

Tehniskais parametrs

IESPĒJAS

PIETEIKUMS

Produktu etiķetes

Fotoelektriskie raksturlielumi (＠Ta＝22±3℃)
Modelis		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	Masīvs
Iepakojuma forma		TO-46	TO-46	TO-46	LCC3	LCC3	plastmasas iepakojums	plastmasas iepakojums	PCB
Gaismas jutīgas virsmas diametrs (mm)		0.23	0,50	0,80	0.23	0,50	0.23	0,50	pielāgots
Spektrālās reakcijas diapazons (nm)		400–1100	400–1100	400–1100	400–1100	400–1100	400–1100	400–1100	400–1100
Maksimālais reakcijas viļņa garums (nm)		905	905	905	905	905	905	905	905
Atsaucība λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
Tumšā strāva M=100(nA)	Tipiski	0.2	0.4	0.8	0.2	0.4	0.2	0.4	Saskaņā ar fotosensitivitāti
Tumšā strāva M=100(nA)	Maksimums	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	Viena puse
Reakcijas laiks λ=905nm R1=50Ω(ns)		0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	Saskaņā ar gaismjutīgo virsmu
Darba sprieguma temperatūras koeficients T=-40℃~85℃ (V/℃)		0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9
Kopējā kapacitāte M = 100 f = 1 MHz (pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	Saskaņā ar gaismjutīgo virsmu
pārrāvuma spriegums IR=10μA(V)	Minimums	130	130	130	130	130	130	130	160
pārrāvuma spriegums IR=10μA(V)	Maksimums	220	220	220	220	220	220	220	200

Iepriekšējais: 800nmAPD vienas caurules sērija

Nākamais: 1064nmAPD vienas caurules sērija

Priekšējās plaknes mikroshēmas struktūra

Liela ātruma reakcija

Augsts ieguvums

Zema savienojuma kapacitāte

Zems troksnis

Masīva izmēru un gaismjutīgo virsmu var pielāgot

Lāzera diapazons

Lidars

Lāzera brīdinājums