1064nm Si PIN fotodiode

Modelis: GT102Ф0.2/ GT102Ф0.5/ GT102Ф1/ GT102Ф2/ GT102Ф4/ GD3310Y/ GD3217Y

Īss apraksts:

Tā ir Si PIN fotodiode, kas darbojas ar apgrieztu nobīdi un nodrošina augstu jutību, sākot no UV līdz NIR.Maksimālais atbildes viļņa garums ir 980 nm.Reakcijas spēja: 0,3 A/W pie 1064 nm.

saņemt citātu Lejupielādēt

Tehniskais parametrs

Produktu etiķetes

Iespējas

Priekšpuses apgaismota konstrukcija
Zema tumšā strāva
Augsta atsaucība
Augsta uzticamība

Lietojumprogrammas

Optiskās šķiedras komunikācija, uztveršana un diapazona noteikšana
Optiskā noteikšana no UV līdz NIR
Ātra optiskā impulsa noteikšana
Kontroles sistēmas rūpniecībai

Fotoelektriskais parametrs (@Ta=25℃)

Lieta #	Pakas kategorija	Gaismas jutīgās virsmas diametrs (mm)	Spektrālās reakcijas diapazons (nm)	Maksimālais reakcijas viļņa garums (nm)	Atsaucība (A/W) λ = 1064 nm	Augšanas laiks λ = 1064 nm V_R= 40 V R_L=50Ω(ns)	Tumšā strāva V_R= 40 V (nA)	Savienojuma kapacitāte V_R= 40 V f = 1 MHz (pF)	Pārrāvuma spriegums (V)
GT102Ф0.2	Koaksiālais tips II,5501,TO-46 Spraudņa veids	Ф0.2	4–1100	980	0.3	10	0.5	0.5	100
GT102Ф0.5		Ф0,5				10	1.0	0.8
GT102Ф1		Ф1.0				12	2.0	2.0
GT102Ф2	TO-5	Ф2.0				12	3.0	5.0
GT102Ф4	TO-8	Ф4.0				20	5.0	12.0
GD3310Y	TO-8	Ф8.0				30	15	50
GD3217Y	TO-20	Ф10.0				50	20	70